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参数目录39904
> IRGSL4B60KD1PBF IGBT W/DIODE 600V 11A TO262
型号:
IRGSL4B60KD1PBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
IGBT W/DIODE 600V 11A TO262
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
IRGSL4B60KD1PBF PDF
产品目录绘图
IRG Series Circuit
IR Transistor TO-262
标准包装
50
系列
-
IGBT 类型
NPT
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
600V
Vge, Ic时的最大Vce(开)
2.5V @ 15V,4A
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
11A
功率 - 最大
63W
输入类型
标准
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装
TO-262
包装
管件
其它名称
*IRGSL4B60KD1PBF
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